пятница, 8 февраля 2013 г.

алфёров жорес иванович телефон для связи,факс

На эти занятия по рекомендации школьных учителей физики и математики приглашались наиболее одаренные ученики. Группа численностью 30—40 человек размещалась в институтском лагере «Звездный» (все расходы компенсировались за счет вуза). Алфёров читал учащимся первую лекцию, проводил с ними достаточно много времени. В эти поездки он брал и свою семью — жену Тамару Георгиевну и сына Ивана. Когда в 1977 году состоялся первый выпуск специалистов по кафедре оптоэлектроники, количество «красных» дипломов в этой группе оказалось таким же, как во всех остальных семи группах факультета электронной техники.

В 1973 году Алфёрову при поддержке А. А. Вавилова, ректора Ленинградского электротехнического института, удалось организовать кафедру оптоэлектроники на факультете электронной техники Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе. Совместно с коллегами Алфёров в предельно сжатые сроки разработал учебный план для новой кафедры. Ученый лично возглавил комиссию по отбору студентов. В дальнейшем он организовывал на период весенних школьных каникул своего рода курсы для учащихся выпускных классов ленинградских школ — «Физика и жизнь».

На основе созданной Алфёровым технологии в 70-х годах XX века в СССР впервые в мире было организовано производство гетеро-структурных солнечных элементов для космических батарей. Одна из таких батарей в 1986 году была установлена на космической станции «Мир», где проработала весь срок эксплуатации без существенных снижений мощности. Также на базе разработок Алфёрова были созданы полупроводниковые лазеры, обладающие более значительными возможностями, чем применявшиеся ранее. Эти лазеры стали использоваться как источники излучения в волоконно-оптических линиях связи повышенной дальности.

Достижения Алфёрова были признаны и высоко оценены международной и отечественной научной общественностью. В 1971 году Франклиновский институт (США) наградил выдающегося ученого медалью С. Баллантайна, называемой малой Нобелевской премией, а в 1972 году ученый удостоился самой высокой награды СССР — Ленинской премии.

Алфёров не только разработал идеальные гетеропереходы, но и открыл такие физические явления, как «суперинжекция», электронное и оптическое ограничение в гетероструктурах. Благодаря этим открытиям удалось значительно улучшить характеристики уже « существующих полупроводниковых приборов, а также создать принципиально новые для нужд оптической и квантовой электроники. Результаты исследований гетеропереходов в полупроводниках были обобщены в докторской диссертации, которую Алфёров защитил в 1970 году.

Теперь, когда ученым был накоплен солидный опыт научной деятельности, Алфёров приступил к разработке новой темы, а именно к проблеме использования в полупроводниковой технике гетеропереходов, что явилось импульсом для качественного скачка в развитии физики и техники. Следует отметить, что в то время многие ученые считали исследования в этом направлении бесперспективными, так как предпринимавшиеся ранее попытки создать приборы на гетеропереходах успехом не увенчались. Однако неудачи предшественников не стали препятствием для научного поиска Алфёрова. В итоге он и его коллеги разработали гетероструктуры, близкие по своим свойствам к идеальной модели, а также создали первый в мире полупроводниковый гетеролазер, который способен работать в непрерывном режиме при комнатной температуре.

После окончания электротехнического института в 1953 году Алфёров поступил на работу в Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе в лабораторию В. М. Тучкевича. На тот период перед институтом стояла задача создать отечественные полупроводниковые приборы. Задачей лаборатории являлось получение монокристаллов чистого германия и создание на его основе плоскостных диодов и триодов. Молодой специалист принял активное участие в разработке первых отечественных транзисторов и силовых германиевых приборов, за что в 1959 году удостоился первой правительственной награды — ордена «Знак Почета». Своего рода итогом достаточно длительного периода плодотворной работы явилась кандидатская диссертация.

Еще в студенческие годы Алфёров начал работать в вакуумной лаборатории профессора Б. П. Козырева. Здесь юноша принимал участие в экспериментальных исследованиях под руководством Н. Н. Созиной. С 1950 года полупроводники стали главным объектом его научного интереса. Студент Алфёров не только сам активно участвовал в научной работе, но и вовлекал в нее товарищей по образованию.

Жорес Иванович родился в городе Витебск (Белоруссия) в семье Ивана Карповича Алфёрова и Анны Владимировны Розенблюм. Родители назвали сына в честь французского социалиста и пацифиста Жана Жореса. До Великой Отечественной войны семья жила в Сталинграде, Новосибирске, Барнауле и Сясьстрое. Во время войны она переехала в Туринск (Свердловская обл.). В День Победы, 9 мая 1945 года, Иван Карпович Алфёров получил назначение в Минск. Здесь мальчик окончил школу с золотой медалью, после чего поступил в Ленинградский электротехнический институт имени В. И. Ульянова на факультет электронной техники по совету школьного учителя физики, Якова Борисовича Мельцерзона.

Алфёров Жорес Иванович

/ / Алфёров Жорес Иванович

Русский горный инженер. Сын врача. Родился в 1844 в году Кашине, Тверской губернии. В 1856 году поступил в Институт Корпуса Горных Инженеров, окончив который, в 1863, был прикомандирован при работах по артезианскому колодцу, производившихся тогда в Экспедиции заготовления государственных бумаг.

Краткая информация:

(24-02-1844 г. - 22-06-1916 г.)

Рабочий Нижнетагильского завода. Сконструировал двухколесный велосипед с педальным приводом. В 1801 году совершил путешествие на своем велосипеде от Нижнего Тагила до Петербурга и обратно.

Краткая информация:

Советский и американский физик, академик РАН, доктор физико-математических наук. Основные работы сделаны в области физики конденсированных сред.

Краткая информация:

Другие инженеры на букву "А"

Инженеры России // Алфёров Жорес Иванович

Комментариев нет:

Отправить комментарий